F48MR12W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Поставщик Устройство Корпус | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 100A |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 100A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 40mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 297nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 8800pF @ 800V |
| FET Особенности | Silicon Carbide (SiC) |
| Мощность - Максимальная | 20mW |