F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

Номер детали:
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
Производитель:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
Описание:
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Datasheet:
-

Product Attributes

Статус детали Active
Тип монтажа Chassis Mount
Технология MOSFET (Metal Oxide)
FET Особенности -
Класс -
Квалификация -
Корпус Module
Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
Мощность - Максимальная -
Поставщик Устройство Корпус Module
Конфигурация 4 N-Channel (Full Bridge)
Ток стока (Id) непрерывный при 25°C 35A
Напряжение сток-исток (Vdss) 650V
Rds On (Макс) @ Id, Vgs 39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (макс.) при Id 4.45V @ 1.74mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs 141nC @ 10V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 6950pF @ 400V