DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Корпус | Module |
| Мощность - Максимальная | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Конфигурация | 4 N-Channel |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 50A (Tj) |
| Поставщик Устройство Корпус | AG-EASY3B |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 2000V (2kV) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 26.5mOhm @ 60A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 5.15V @ 34mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 234nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7240pF @ 1.2kV |