CSD85312Q3E
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Мощность - Максимальная | 2.5W |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.4V @ 250µA |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Common Source |
| Корпус | 8-PowerVDFN |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 39A |
| Поставщик Устройство Корпус | 8-VSON (3.3x3.3) |
| FET Особенности | Logic Level Gate, 5V Drive |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 12.4mOhm @ 10A, 8V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 15.2nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2390pF @ 10V |