BSZ215CHXTMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Рабочая температура | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Класс | Automotive |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Мощность - Максимальная | 2.5W |
| Конфигурация | N and P-Channel Complementary |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TSDSON-8 |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 419pF @ 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| FET Особенности | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 5.1A, 3.2A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 1.4V @ 110µA |