BSG0813NDIATMA1
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2V @ 250µA |
| Рабочая температура | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | 2.5W |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
| Корпус | 8-PowerTDFN |
| FET Особенности | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V |
| Поставщик Устройство Корпус | PG-TISON-8 |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 8.4nC @ 4.5V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1100pF @ 12V |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 19A, 33A |