APTMC120AM25CT3AG
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Мощность - Максимальная | 500W |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Корпус | SP3 |
| Поставщик Устройство Корпус | SP3 |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 113A (Tc) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 80A, 20V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 2.2V @ 4mA (Typ) |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 197nC @ 20V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 3800pF @ 1000V |