APTC60BBM24T3G
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.9V @ 5mA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600V |
| Конфигурация | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 95A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 47.5A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 300nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14400pF @ 25V |
| Мощность - Максимальная | 462W |
| Корпус | SP3 |
| Поставщик Устройство Корпус | SP3 |