APTC60AM45BC1G
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| Технология | MOSFET (Metal Oxide) |
| FET Особенности | - |
| Рабочая температура | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 3.9V @ 3mA |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600V |
| Корпус | SP1 |
| Поставщик Устройство Корпус | SP1 |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 49A |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 24.5A, 10V |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 150nC @ 10V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 7200pF @ 25V |
| Мощность - Максимальная | 250W |
| Конфигурация | 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) |