ADP480120W3
Product Attributes
| Статус детали | Active |
|---|---|
| Тип монтажа | Chassis Mount |
| FET Особенности | - |
| Класс | - |
| Квалификация | - |
| Корпус | Module |
| Рабочая температура | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Технология | Silicon Carbide (SiC) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Конфигурация | 6 N-Channel |
| Поставщик Устройство Корпус | ACEPACK |
| Ток стока (Id) непрерывный при 25°C | 488A (Tj) |
| Rds On (Макс) @ Id, Vgs | 2.6mOhm @ 480A, 18V |
| Vgs(th) (макс.) при Id | 4.4V @ 50mA |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 1258nC @ 18V |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 37420pF @ 800V |
| Мощность - Максимальная | 869W (Tj) |