SH63N65DM6AG
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 53A (Tc) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 80nC @ 10V |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 650V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.75V @ 250µA |
| パッケージ / ケース | 9-PowerSMD |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 9-ACEPACK SMIT |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 23A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 3344pF @ 100V |
| パワー - 最大 | 424W (Tc) |