SCT040W65G3-4
Product Attributes
| 実装タイプ | Through Hole |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| 最大消費電力 | 240W (Tc) |
| パッケージ / ケース | TO-247-4 |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.2V @ 1mA |
| Vgs（最大） | +18V, -5V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 37.5 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 860 pF @ 400 V |