MV2N5116UB/TR
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| パワー - 最大 | 500 mW |
| FETタイプ | P-Channel |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 30 V |
| グレード | Military |
| 動作温度 | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| パッケージ / ケース | 3-SMD, No Lead |
| 電圧 - ブレークダウン (V(BR)GSS) | 30 V |
| 電流 - ドレイン (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 mA @ 15 V |
| 電圧 - カットオフ (VGSオフ) @ Id | 1 V @ 1 nA |
| 認定 | MIL-PRF-19500 |
| サプライヤーデバイスパッケージ | UB |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 27pF @ 15V |
| 抵抗 - RDS(On) | 175 Ohms |