MSC360SMA120SDT/R

部品番号:
MSC360SMA120SDT/R
メーカー:
Microchip Technology
Other Part Numbers:
-
説明:
MOSFET SIC 1200 V 360 MOHM TO-26
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 12A (Tc)
パッケージ / ケース TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-7
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 1200 V
最大消費電力 92W (Tc)
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 21 nC @ 20 V
Vgs(最大) +23V, -10V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 18V, 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 5A, 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 258 pF @ 1.2 kV