M2P45M12W2-1LA
Product Attributes
| 実装タイプ | Through Hole |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| パワー - 最大 | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 100nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 2086pF @ 800V |
| パッケージ / ケース | 32-PowerDIP Module (1.264", 32.10mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | ACEPACK DMT-32 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60.5mOhm @ 20A, 18V |
| コンフィギュレーション | 6 N-Channel (Three Phase Inverter) |