ISG0616N10NM5HSCATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 78nC @ 10V |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 100V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 50A, 10V |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 85µA |
| パワー - 最大 | 3W (Ta), 167W (Tc) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 19A (Ta), 139A (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 4800pF @ 50V |
| パッケージ / ケース | 10-PowerWDFN |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-WHITFN-10-1 |