ISC165N15NM6ATMA1

部品番号:
ISC165N15NM6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
TRENCH >=100V
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大) ±20V
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 150 V
パッケージ / ケース 8-PowerTDFN
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 18.5 nC @ 10 V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 35µA
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V, 15V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 1300 pF @ 75 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.6mOhm @ 16A, 15V
最大消費電力 3W (Ta), 95W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TDSON-8-45