IRF100PW219XKSA1

部品番号:
IRF100PW219XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
TRENCH >=100V
Datasheet:
PDF

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
Vgs(最大) ±20V
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
パッケージ / ケース TO-247-3
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 210 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.7mOhm @ 100A, 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 16000 pF @ 50 V
最大消費電力 3.8W (Ta), 341W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 278µA
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-3-U06
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 33A (Ta), 203A (Tc)