IQDH35N03LM5CGSCATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 30 V |
| パッケージ / ケース | 9-PowerWDFN |
| 最大消費電力 | 2.5W (Ta), 278W (Tc) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 66A (Ta), 700A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.35mOhm @ 50A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.46mA |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 18000 pF @ 15 V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-WHTFN-9-U02 |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 114 nC @ 4.5 V |