IQDH29NE2LM5CGSCATMA1

部品番号:
IQDH29NE2LM5CGSCATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
Vgs(最大) ±16V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 110 nC @ 4.5 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 25 V
パッケージ / ケース 9-PowerWDFN
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 75A (Ta), 789A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.29mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1.448mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 17000 pF @ 12 V
最大消費電力 2.5W (Ta), 278W (Tc)
サプライヤーデバイスパッケージ PG-WHTFN-9-U02