IPG20N10S4L35AATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | Automotive |
| 認定 | AEC-Q101 |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| FETフィーチャー | Logic Level Gate |
| パッケージ / ケース | 8-PowerVDFN |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 100V |
| 実装タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 17.4nC @ 10V |
| パワー - 最大 | 43W |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 16µA |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 1105pF @ 25V |