IPG20N06S4L26AATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | Automotive |
| 認定 | AEC-Q101 |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| FETフィーチャー | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 60V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 20nC @ 10V |
| パッケージ / ケース | 8-PowerVDFN |
| パワー - 最大 | 33W |
| 実装タイプ | Surface Mount, Wettable Flank |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 10µA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 17A, 10V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 1430pF @ 25V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TDSON-8-10 |