IPD35N10S3L26ATMA2
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | Automotive |
| 認定 | AEC-Q101 |
| パッケージ / ケース | TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 4.5V, 10V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO252-3-11 |
| 最大消費電力 | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |