IPD30N12S3L31ATMA2

部品番号:
IPD30N12S3L31ATMA2
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
MOSFET_(120V 300V)
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大) ±20V
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード Automotive
認定 AEC-Q101
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 30A (Tc)
パッケージ / ケース TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 31 nC @ 10 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 4.5V, 10V
最大消費電力 57W (Tc)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 1970 pF @ 25 V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO252-3-11
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 120 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 29µA