IPB339N20NM6ATMA1

部品番号:
IPB339N20NM6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
MOSFET
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大) ±20V
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 200 V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 24 nC @ 10 V
パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 1600 pF @ 100 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 10V, 15V
最大消費電力 3.8W (Ta), 125W (Tc)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 6.8A (Ta), 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 31.8mOhm @ 26A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 52µA