IPB057N15NM6ATMA1

部品番号:
IPB057N15NM6ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
TRENCH >=100V
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(最大) ±20V
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
パッケージ / ケース TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 150 V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 55 nC @ 10 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 4000 pF @ 75 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 8V, 15V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 17A (Ta), 128A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 52A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 112µA
最大消費電力 3.8W (Ta), 211W (Tc)