IPB021N10NM5LF2ATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 100 V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-3-2 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 10V, 15V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 206 nC @ 10 V |
| 最大消費電力 | 3.8W (Ta), 375W (Tc) |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 17000 pF @ 50 V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.9V @ 280µA |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 30A (Ta), 176A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 15V |