IMZA65R033M2HXKSA1

部品番号:
IMZA65R033M2HXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
IMZA65R033M2HXKSA1
Datasheet:
-

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 53A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
パッケージ / ケース TO-247-4
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
最大消費電力 194W (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 15V, 20V
Vgs(最大) +23V, -7V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 34 nC @ 18 V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-4-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30mOhm @ 27.9A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 5.7mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 1214 pF @ 400 V