IMZA65R007M2HXKSA1

部品番号:
IMZA65R007M2HXKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
SILICON CARBIDE MOSFET
Datasheet:
-

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
最大消費電力 625W (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 210A (Tc)
パッケージ / ケース TO-247-4
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 15V, 20V
Vgs(最大) +23V, -7V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-4-U02
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.1mOhm @ 146.3A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 29.7mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 179 nC @ 18 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 6359 pF @ 400 V