IMZA120R022M2HXKSA1
Product Attributes
| 実装タイプ | Through Hole |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V |
| パッケージ / ケース | TO-247-4 |
| 最大消費電力 | 329W (Tc) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Vgs（最大） | +25V, -10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 18V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO247-4-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.1V @ 10.1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 71 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 2330 pF @ 800 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 29mOhm @ 32A, 18V |