IMWH170R650M1XKSA1

部品番号:
IMWH170R650M1XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
IMWH170R650M1XKSA1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

実装タイプ Through Hole
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
最大消費電力 88W (Tc)
パッケージ / ケース TO-247-3
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 7.5A (Tc)
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 1700 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 12V, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.7V @ 1.7mA
Vgs(最大) 15V, 12V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-TO247-3-U04
Rds On (Max) @ Id, Vgs 580mOhm @ 1.5A, 15V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 8.1 nC @ 12 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 337 pF @ 1000 V