IMW65R060M2HXKSA1
- 部品番号：
- IMW65R060M2HXKSA1
- Other Part Numbers:
- -
- 説明：
- IMW65R060M2HXKSA1
- Datasheet:
-
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Product Attributes
| 実装タイプ |
Through Hole |
| 部品ステータス |
Active |
| FETタイプ |
N-Channel |
| FETフィーチャー |
- |
| 動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード |
- |
| 認定 |
- |
| パッケージ / ケース |
TO-247-3 |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) |
650 V |
| 最大消費電力 |
130W (Tc) |
| テクノロジー |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） |
15V, 20V |
| Vgs（最大） |
+23V, -7V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs |
19 nC @ 18 V |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
PG-TO247-3-40 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
55mOhm @ 15.4A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
5.6V @ 3.1mA |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds |
669 pF @ 400 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C |
32.8A (Tc) |
