IMT65R50M2HXUMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| パッケージ / ケース | 8-PowerSFN |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 650V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-2 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 3.7mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 62mOhm @ 18.2A, 18V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 48.1A (Tc) |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 22nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 790pF @ 400V |
| パワー - 最大 | 237W (Tc) |