IMT40R011M2HXTMA1
- 部品番号：
- IMT40R011M2HXTMA1
- Other Part Numbers:
- -
- 説明：
- SIC-MOS
Product Attributes
| 部品ステータス |
Active |
| 実装タイプ |
Surface Mount |
| FETタイプ |
N-Channel |
| FETフィーチャー |
- |
| 動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード |
- |
| 認定 |
- |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) |
400 V |
| テクノロジー |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| パッケージ / ケース |
8-PowerSFN |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
5.6V @ 13.3mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
PG-HSOF-8-2 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） |
15V, 18V |
| Vgs（最大） |
+23V, -7V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
14.4mOhm @ 37.1A, 18V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs |
85 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds |
3770 pF @ 200 V |
| 最大消費電力 |
3.8W (Ta), 429W (Tc) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C |
13.4A (Ta), 144A (Tc) |
