IMDQ75R040M1HXUMA1

部品番号:
IMDQ75R040M1HXUMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
SILICON CARBIDE MOSFET
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
グレード -
認定 -
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 47A (Tc)
最大消費電力 211W (Tc)
テクノロジー SiCFET (Silicon Carbide)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 15V, 20V
Vgs(最大) +23V, -5V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 34 nC @ 18 V
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 750 V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HDSOP-22-1
パッケージ / ケース 22-PowerBSOP Module
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 16.6A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 6mA
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 1135 pF @ 500 V