IMDQ75R007M2HXTMA1
- 部品番号：
- IMDQ75R007M2HXTMA1
- Other Part Numbers:
- -
- 説明：
- IMDQ75R007M2HXTMA1
Product Attributes
| 部品ステータス |
Active |
| 実装タイプ |
Surface Mount |
| FETタイプ |
N-Channel |
| FETフィーチャー |
- |
| 動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード |
- |
| 認定 |
- |
| テクノロジー |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| 最大消費電力 |
789W (Tc) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C |
222A (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） |
15V, 20V |
| Vgs（最大） |
+23V, -7V |
| パッケージ / ケース |
22-PowerBSOP Module |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
PG-HDSOP-22 |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) |
840 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
6.1mOhm @ 131.5A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
5.6V @ 28.9mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs |
171 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds |
5922 pF @ 500 V |
