IMDQ65R010M2HXUMA1
- 部品番号：
- IMDQ65R010M2HXUMA1
- Other Part Numbers:
- -
- 説明：
- IMDQ65R010M2HXUMA1
Product Attributes
| 部品ステータス |
Active |
| 実装タイプ |
Surface Mount |
| FETタイプ |
N-Channel |
| FETフィーチャー |
- |
| 動作温度 |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード |
- |
| 認定 |
- |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) |
650 V |
| テクノロジー |
SiCFET (Silicon Carbide) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C |
154A (Tc) |
| Vgs（最大） |
+23V, -10V |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） |
15V, 20V |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
PG-HDSOP-22-1 |
| パッケージ / ケース |
22-PowerBSOP Module |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs |
113 nC @ 18 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
9.1mOhm @ 92.1A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
5.6V @ 18.7mA |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds |
4002 pF @ 400 V |
| 最大消費電力 |
651W (Tc) |
