IMBG65R010M2H
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Surface Mount |
| FETタイプ | N-Channel |
| FETフィーチャー | - |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 650 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 158A (Tc) |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) |
| 最大消費電力 | 535W (Tc) |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） | 15V, 20V |
| Vgs（最大） | +23V, -7V |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-TO263-7-12 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.1mOhm @ 92.1A, 20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 18.7mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 112 nC @ 18 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 4001 pF @ 400 V |