IGT65R045D2ATMA1

部品番号:
IGT65R045D2ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
IGT65R045D2ATMA1
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Surface Mount
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 38A (Tc)
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
最大消費電力 131W (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) -
テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
パッケージ / ケース 8-PowerSFN
Vgs(最大) -10V
サプライヤーデバイスパッケージ PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 3.3mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 6 nC @ 3 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 430 pF @ 400 V