IGT65R025D2ATMA1
- 部品番号：
- IGT65R025D2ATMA1
- Other Part Numbers:
- -
- 説明：
- IGT65R025D2ATMA1
Product Attributes
| 部品ステータス |
Active |
| 実装タイプ |
Surface Mount |
| FETタイプ |
N-Channel |
| FETフィーチャー |
- |
| グレード |
- |
| 認定 |
- |
| 動作温度 |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) |
650 V |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C |
70A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
- |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） |
- |
| テクノロジー |
GaNFET (Gallium Nitride) |
| 最大消費電力 |
236W (Tc) |
| パッケージ / ケース |
8-PowerSFN |
| Vgs（最大） |
-10V |
| サプライヤーデバイスパッケージ |
PG-HSOF-8 |
| Vgs(th) (Max) @ Id |
1.6V @ 6.1mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs |
11 nC @ 3 V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds |
780 pF @ 400 V |
