GS66506TMRXUSA1

部品番号:
GS66506TMRXUSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
GS66506T-MR
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Last Time Buy
実装タイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ -
FETタイプ N-Channel
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
最大消費電力 -
パッケージ / ケース 4-SMD, No Lead
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650 V
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 22.5A (Tc)
テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V
Vgs(最大) +7V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 90mOhm @ 6.7A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 4.4 nC @ 6 V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 195 pF @ 400 V