GS61008TMRXUSA1

部品番号:
GS61008TMRXUSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
GS61008T-MR
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Last Time Buy
実装タイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ -
FETタイプ N-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
最大消費電力 -
パッケージ / ケース 4-SMD, No Lead
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 90A (Tc)
テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 590 pF @ 50 V
Vgs(最大) +7V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.3V @ 7mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 12 nC @ 6 V