GS61008PMRXUSA1

部品番号:
GS61008PMRXUSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
GS61008P-MR
Datasheet:
PDF

Product Attributes

部品ステータス Last Time Buy
実装タイプ Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ -
FETタイプ N-Channel
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 100 V
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
最大消費電力 -
動作温度 -55°C ~ 150°C
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 90A (Tc)
パッケージ / ケース 5-SMD, No Lead
テクノロジー GaNFET (Gallium Nitride)
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 600 pF @ 50 V
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) 6V
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 8 nC @ 6 V
Vgs(最大) +7V, -10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5mOhm @ 27A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 7mA