FS13MR12W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
| 動作温度 | - |
| FETフィーチャー | - |
| 実装タイプ | - |
| パッケージ / ケース | - |
| コンフィギュレーション | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 62.5A (Tc) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.7mOhm @ 62.5A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 28mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 200nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 6050pF @ 800V |