FF4MR12W2M1HB70BPSA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| サプライヤーデバイスパッケージ | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | Module |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パワー - 最大 | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 200A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 80mA |
| FETフィーチャー | Silicon Carbide (SiC) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 200A, 18V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 594nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 17600pF @ 800V |