FF17MR12W1M1HB17BPSA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Active |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | - |
| 認定 | - |
| パッケージ / ケース | Module |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 50A (Tj) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY1B |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.2mOhm @ 50A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.15V @ 20mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 149nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 4400pF @ 800V |
| パワー - 最大 | 20mW |