FF11MR12W1M1B11BOMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Obsolete |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| FETフィーチャー | - |
| パッケージ / ケース | Module |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パワー - 最大 | - |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Dual) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | Module |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11mOhm @ 100A, 15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 250nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 7950pF @ 800V |