FF06MR12A04MA2AKSA1
Product Attributes
| 実装タイプ | Through Hole |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETフィーチャー | - |
| グレード | Automotive |
| 認定 | AEC-Q101 |
| 動作温度 | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| コンフィギュレーション | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| パワー - 最大 | 20mW |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 190A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.56mOhm @ 190A, 18V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.55V @ 60mA |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 420nC @ 18V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 10100pF @ 850V |
| パッケージ / ケース | 11-PowerDIP Module (2.091", 53.10mm) |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PG-MDIP-11-1 |