F435MR07W1D7S8B11ABPSA1

部品番号:
F435MR07W1D7S8B11ABPSA1
メーカー:
Infineon Technologies
Other Part Numbers:
-
説明:
MOSFET 4N-CH 650V 35A MODULE
Datasheet:
-

Product Attributes

部品ステータス Active
実装タイプ Chassis Mount
テクノロジー MOSFET (Metal Oxide)
FETフィーチャー -
グレード -
認定 -
パッケージ / ケース Module
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
パワー - 最大 -
サプライヤーデバイスパッケージ Module
コンフィギュレーション 4 N-Channel (Full Bridge)
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 35A
ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) 650V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 39.4mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.45V @ 1.74mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs 141nC @ 10V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds 6950pF @ 400V