F411MR12W2M1B76BOMA1
Product Attributes
| 部品ステータス | Obsolete |
|---|---|
| 実装タイプ | Chassis Mount |
| FETフィーチャー | - |
| パッケージ / ケース | Module |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| パワー - 最大 | - |
| コンフィギュレーション | 4 N-Channel (Full Bridge) |
| テクノロジー | Silicon Carbide (SiC) |
| ドレイン-ソース間電圧 (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 100A (Tj) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.55V @ 40mA |
| サプライヤーデバイスパッケージ | AG-EASY1B-2 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.3mOhm @ 100A, 15V |
| ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs | 248nC @ 15V |
| 入力容量（Ciss）（最大）@ Vds | 7360pF @ 800V |